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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

建设项目题材 此工程坐落在长四角地方某一个国家级别半导体行业房产幼儿园内,商家主要是生产制造85英尺和125英尺晶圆,日产尼桑量拥有2万片。跟随着产量加强,改变的污废水 除理模式已尚未拥有优质条件,肯定需要升阶变革。工程总交易约1300万元,设计制作除理学习能力为300吨/日,于2022年俊工投用。 废水处理组成及来自 该机构晶圆小学划片工艺流程生产的工业废水核心构成下面化学成分: 激光切方式中施用的碾磨液残存物,包括化学物质为二硫化硅小粒、表皮化学活化剂和充分修改剂 晶圆表面上的洗涤生成的含氟废污水,氟阳离子含量在80-120mg/L 一少部分高价属亚铁离子如铜、镍等,由来于裁割用具磨坏 生物碳相转移催化剂残留物,还有异丙醇、二甲苯等 pH值冲击较高,经常在4-10之間 办理制作工艺注意事项 对应污水性能指标,结构设计选用"化学预加工+生化学加工+角度加工"的组合式加工制作工艺 : 调控池 :均衡化水的硬度蓄水量,设置成pH手机监测数据和电脑自动加量软件系统 水泥混凝土沉淀出的 :加药PAC和PAM,洗去悬浮物物和胶体溶液化学物质 气浮单元测试 :进行溶气气浮艺进一歩洗去渺小颗粒物和有些有机质物 生化学加工 :用MBR膜海洋生物发生流化床反应器,废水浓硫酸浓度恢复在8000-10000mg/L 的深度除理 :活性酶类炭吸出+反加入制作工艺,确保喷水合格 工业废水外理 :板框刮刀离心机脱水情况,废水含水量率降落到60%下类 工作疗效 体统不稳使用后,出水出水水硬度完整实现《光电子实业水废弃物物排污标准单位》(GB39731-2020)非常排污规定值符合要求: COD<30mg/L 氟正离子<5mg/L 透明桌面物<10mg/L 高价属相关公式均最低规定值 业务年均可减轻空气污物尾气排缩量上涨约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收水率到达75%大于,为厂家大大节省有水费收入支出约130万元/年。

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