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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华东某LED外加片产出中小型企业,因产出流程中利用砷化镓、电镀锌铟等III-V族氧化物,废水底含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等血本属,设计的净化处理面积1200吨/日。 污废水 化学成分及从何而来 MOCVD仪器洗涤废液 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等生产重金属单质 切割工作磨研废水处理工艺 :含nm级废金属顆粒 化学镍污水 :含铜、镍等金属件阴离子 外理新工艺流量 全新选取"氧化物破络+高价属捕集器+膜剥离"团体新工艺: 预净化处理标段 :污泥脱水氢氧化钙分离充分合金金属络合物 核心区正确处理机组 : 采用DTCR天价属气体吸附剂确立不可溶性螯合物 超滤膜系统化(UF)虚报冒领大碳原子感染物 反进行渗透(RO)脱盐率>98% 活性污泥净化处理单位 :离心分离脱水烘干后转交危险废弃物净化处理学校救治 最中作用 经第三个方判断: 总砷浓度:0.05mg/L(执行标准0.5mg/L) 镉含铁:0.01mg/L(新国标0.1mg/L) 水回收率:75% 正常运作生产成本:3.8元/吨水

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