活动视频背景 杭州某半导体设备厂生产销售流程中一并导致高硅焦化生产污废水 （SiO₂ 500-800mg/L）和含氟焦化生产污废水 （F⁻ 200-300mg/L）。四种焦化生产污废水 相溶而后容易组成氟硅酸溶液，民俗化学奠定法根本无法稳定可靠考核条件。工程规范要求一起快速清理硅和氟（排放口条件：SiO₂≤30mg/L，F⁻≤10mg/L）。 电镀废水因素及源头 主要的组成 ：硅酸氢钠（NaHSiO₃）、氟化铵（NH₄F）、异丙醇 源于 ：晶圆刻蚀生活污水、CMP磨研生活污水、的设备擦拭水 处里技艺环节 携手积累关键期 ： 二级影响池 ： 一级加药Ca(OH)₂转化CaF₂和CaSiO₃沉积； 第二个级加药PAC（汇聚氯化铝）提高二沉池。 固液分离出来阶段性 ： 反渗透膜系统性 ：采用了0.02μm口径膜配件截流胶体溶液硅和微细沉淀物中物。 淬硬层脱氟的阶段 ： 活力性被氧化铝粉离心分离塔 ：残留氟阴离子吸收除去。 终极治疗效果 满水后SiO₂≤25mg/L，F⁻≤8mg/L，远远远超过我国行业标准规范。 超滤膜体系通量稳定性高在15LMH，普通机械清晰时间是不断增加至60天。 污水经压滤后含水分率＜65%，可按普通固体废弃物代理。